Вы когда-нибудь использовали ультразвуковое распыление в индустрии фоторезиста?

Основным применением ультразвукового распыления в производстве фоторезиста является нанесение покрытия на фоторезист с высокой точностью, высокой однородностью и высокой степенью покрытия. Он особенно хорош при решении проблем покрытия трехмерных микроструктур, высоких соотношений сторон и больших/нерегулярных подложек, с которыми трудно справиться с помощью традиционного центрифугирования, при этом значительно улучшая использование материала и выход продукции.

1. Покрытие полупроводниковых пластин (основные области применения)

Planar Wafer Coating: Used for 12-inch and larger wafers, achieving ultra-thin, uniform photoresist layers (thickness 50–500 nm), with thickness error controllable within ±0.3–0.4 μm and uniformity >95%, что значительно повышает точность экспозиции и выход стружки.

Вафельное покрытие со сложной структурой: определение глубоких траншей, TSV и структур с большим соотношением сторон, решение проблем спинового-покрытия, таких как наросты на краях, отсутствие сопротивления нижней части и эффекты затенения, достижение равномерного покрытия на боковых стенках и нижней части, обеспечение точности травления/ионной имплантации.

2. МЭМС и микроструктурное покрытие устройств.

Нанесение покрытия на трехмерные сложные морфологические поверхности, такие как МЭМС-чипы, микрофлюидные чипы, датчики и микрозеркала, обеспечивающее превосходное покрытие ступеней, устранение мертвых углов и пузырьков, а также повышение надежности устройства.

Специальные подложки и гибкое электронное покрытие

Нанесение покрытий на несиликоновые подложки, такие как стекло, керамика, металлы и гибкие подложки (например, ПИ, ПЭТ), подходящие для деталей неправильной формы/больших-размеров/хрупких деталей, позволяющие избежать риска фрагментации, вызванного-высокоскоростным центрифугированием во время центрифугирования.

Нанесение фоторезиста/функциональных слоев на гибкие/изогнутые подложки, такие как гибкие OLED и перовскитные солнечные элементы.

НИОКР и мелкосерийное-прототипирование

Лабораторные исследования и разработки, проверка новых материалов и мелкосерийное-прототипирование: быстрая смена, точный контроль толщины пленки и низкий расход материала, подходящие для разработки рецептур фоторезиста и повторения процесса.

Гибридный процесс (нанесение методом центрифугирования + ультразвуковое распыление)

Сначала ультразвуковое напыление образует однородную базовую пленку, затем-нанесение покрытия при высокоскоростном центрифугировании выравнивает клей, обеспечивая баланс между однородностью, ступенчатым покрытием и эффективностью производства, что подходит для передовых процессов.

Типичные параметры процесса (ссылка)

● Частота распыления: 20–120 кГц (обычно используется 100 кГц).

● Размер частиц распыления: 0,5–50 мкм (субмикронный уровень).

● Диапазон толщины пленки: 50–5 мкм (50–500 нм обычно используется для прецизионного покрытия).

●Однородность толщины: ±0,3–0,5 мкм (12-дюймовая пластина).

●Material Utilization: >90%